| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ST/意法TO220 |
7906200 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6004 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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STM原厂原装 |
14600 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市柏芯特电子科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6000 |
2023 |
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公司原装现货/支持实单 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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STTO-220 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6008 |
22+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-220 |
980 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ST/意法TO-220 |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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STMicroelectronicsTO-220-3 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
6004 |
21+ |
原装正品现货 可开增值税发票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
3640 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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VISHAYSOT-23 |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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STTO-220AB |
6852 |
1926+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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ST/意法TO220 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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ST/意法N |
30000 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市中飞芯源科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
16900 |
23+ |
原装，可配单 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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ST/意法TO220ABNONISOL |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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ST/意法SMD |
30000 |
22+ |
只做原装正品 |
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深圳市吉铭电子科技有限公司2年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
63880 |
21+ |
本公司只售原装 支持实单 |
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芯灿微（深圳）科技有限公司1年
留言
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ST/意法半导体TO-220-3 |
8860 |
21+ |
原装现货,实单价优 |
STGP10NB60S采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
STGP10NB60S图片
STGP10NB60SD价格
STGP10NB60SD价格：￥12.2712品牌：STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的STGP10NB60SD多少钱，想知道STGP10NB60SD价格是多少？参考价：￥12.2712。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，STGP10NB60SD批发价格及采购报价，STGP10NB60SD销售排行榜及行情走势，STGP10NB60SD报价。
STGP10NB60S中文资料Alldatasheet PDF
更多STGP10NB60S功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 10 Amp RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGP10NB60S_05制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220/TO-220FP/D2PAK PowerMESH TM IGBT
STGP10NB60SD功能描述:IGBT 晶体管 N-Ch 600 V 10 A Low Drop PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
STGP10NB60SDFP制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220FP PowerMesh⑩ IGBT
STGP10NB60SFP功能描述:IGBT 晶体管 N-CH 10 A 600V PowerMESH RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
STGP10NB60S
- 制造商：
STMicroelectronics
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 系列：
PowerMESH™
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.75V @ 15V，10A
- 开关能量：
600µJ（开），5mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
700ns/1.2µs
- 测试条件：
480V，10A，1 千欧，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220
- 描述：
IGBT 600V 29A 80W TO220
