| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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STTO263 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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ST/意法NA |
7000 |
21+ |
只做原装,假一罚十 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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ST/意法TO-263 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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STMTO-263-3 (D2PAK) |
4000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法TO-263 |
400 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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STM |
7000 |
19+ |
TO-263-3 (D2PAK) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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STMTO-263-3 (D2PAK) |
7000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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ST/意法TO-262 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ST/意法262 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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STMicroelectronicsD2PAK |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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STTO220 |
826 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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ST/意法D2PAK |
99333 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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ST08+ |
1 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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ST/意法D2PAK |
99333 |
22+ |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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STTO220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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NA |
3000 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市天芯威科技有限公司1年
留言
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STTO220 |
30000 |
22+ |
原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ST/意法NA/ |
10 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市大联智电子有限公司2年
留言
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NXP2013+ |
7300 |
2022+ |
原装现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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STTO-251 |
6528 |
2016+ |
房间原装进口现货假一赔十 |
STB21NM60N采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
STB21NM60N图片
STB21NM60ND价格
STB21NM60ND价格：￥19.1071品牌：STMICROELECTRONICS
生产厂家品牌为STMICROELECTRONICS的STB21NM60ND多少钱，想知道STB21NM60ND价格是多少？参考价：￥19.1071。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，STB21NM60ND批发价格及采购报价，STB21NM60ND销售排行榜及行情走势，STB21NM60ND报价。
STB21NM60N中文资料Alldatasheet PDF
更多STB21NM60N功能描述:MOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB21NM60N-制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V - 0.17 Ω - 17 A TO-220 - TO-220FP - D2PAK - I2PAK - TO-247 second generation MDmesh? Power MOSFET
STB21NM60N-1功能描述:MOSFET N-CHANNEL MFT RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB21NM60ND功能描述:MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
STB21NM60ND_09制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:N-channel 600 V, 0.17 Ω, 17 A FDmesh? II Power MOSFET D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247
