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深圳市福田区晶康业电子商行

2年 留言
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INENOISOT252

3000

20+

全新原装,价格优势

深圳市赛能新源半导体有限公司

4年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-252

60000

21+

原装正品进口现货

深圳市英科美电子有限公司

9年 留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252

17246

2021+

原装进口假一罚十

深圳市特莱科技有限公司

6年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-252

14750

21+23+

16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品

深圳市坤融电子科技有限公司

5年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-252

3500

22+

只做原装进口 免费送样!!

深圳市昂芯微科技有限公司

3年 留言
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INFINEONTO252

6996

23+

只做原装正品现货

深圳市卓越微芯电子有限公司

10年 留言
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INFINEONTO252

18600

2020+

百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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INFINEON/英飞凌TO252

7906200

深圳市安富世纪电子有限公司

4年 留言
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INFINEON/英飞凌现货很近!原厂很远!只做原装

32500

20+

现货很近!原厂很远!只做原装

深圳市百域芯科技有限公司

3年 留言
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INFINEON/英飞凌TO-252D-PAK

30000

21+

优势供应 实单必成 可13点增值税

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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IRTO252-3

12300

23+

全新原装真实库存含13点增值税票!

深圳市易讯博科技有限公司

4年 留言
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InfineonNA

2118

22+

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深圳市誉腾达半导体科技有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

22+

公司只有原装

瀚佳科技(深圳)有限公司

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INFINEON

35200

21+

一级代理/放心采购

深圳市国宇半导体科技有限公司

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INFINEON/英飞凌TO-252

10000

23+

公司只做原装正品

深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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INFINEONTO-252

12300

24+

独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证

深圳市昌和盛利电子有限公司

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STTO-252

8795

23+

深圳市赛特兴科技有限公司

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Infineon(英飞凌)标准封装

7000

2021/2022+

原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品

深圳市河锋鑫科技有限公司

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INFINEON22+

6000

SOT252

十年配单,只做原装

深圳市九方航科技有限公司

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VBSEMITO252-3

29600

19+

绝对原装现货,价格优势!

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SPD30N06S2-15功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPD30N06S2-23功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPD30N06S2L-13功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SPD30N06S2L-23功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件