| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO252 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市英科美电子有限公司9年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17246 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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INFINEONTO252 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
3500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
14750 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT252 |
3000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO252 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Infineon(英飞凌)标准封装 |
7228 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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InfineonSMD |
25049 |
23+ |
全新原装现货,专业代理热卖 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司4年
留言
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TO252 |
9860 |
20+ |
原装现货/放心购买 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市宇集芯电子有限公司9年
留言
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INFINEONTO-252 |
90000 |
23+ |
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理 |
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深圳市创盛芯科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
1665 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市赛恒电子科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌TO252 |
6688 |
21+ |
十年老店,原装正品 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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infineonTO-252 |
30000 |
23 |
代理全新原装现货 价格优势 |
SPD30N06采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPD30N06图片
SPD30N06S2L-13中文资料Alldatasheet PDF
更多SPD30N06S2-15功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N06S2-23功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N06S2L-13功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N06S2L-23功能描述:MOSFET N-CH 55V 30A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
