| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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INFINEONTO-252 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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7793 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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INFINEON/英飞凌TO252 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-252 |
10000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT252 |
32500 |
21+ |
全新原装,价格优势 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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INFTO-252-2 |
9860 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市英科美电子有限公司9年
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
17247 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO252 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
2500 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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INFINEONTO-263 |
8530 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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INFIENION原厂原装 |
2481 |
06+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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INFINEON-英飞凌TO-252-3 |
78800 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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INFINEONTO-252 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONSOT-252 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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无锡固电半导体股份有限公司4年
留言
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iscDPAK/TO-252 |
1000 |
2024 |
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国产品牌isc,可替代原装 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-252 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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ITO-252 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-252 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
SPD30N03S2L采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPD30N03S2L图片
SPD30N03S2L-20G资讯
SPD30N03S2L-10G代理,有原装现货的,期待您的咨询 INFINEON TO-252
SPD30N03S2L-10G代理,有原装现货的,期待您的咨询INFINEONTO-252
SPD30N03S2L-20G中文资料Alldatasheet PDF
更多SPD30N03S2L-07功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPD30N03S2L-07 G功能描述:MOSFET N-Channel 30V MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPD30N03S2L-07_08制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated
SPD30N03S2L-07G制造商:Infineon Technologies AG
SPD30N03S2L07GBTMA1制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:N-KANAL POWER MOS - Tape and Reel 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
SPD30N03S2L07NT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 30A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
SPD30N03S2L07T功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPD30N03S2L-08制造商:Infineon Technologies AG
SPD30N03S2L-10功能描述:MOSFET N-CH 30V 30A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SPD30N03S2L-10 G功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
