| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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INFINEONT0262 |
6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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INENOISOT263 |
5000 |
20+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳好佳好科技有限公司13年
留言
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INFINEONSOT263 |
9000 |
1430+ |
绝对原装进口现货可开增值税发票 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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INFINEONNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市斌腾达科技有限公司7年
留言
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Infineon TechnologiesPG-TO263-3-2 |
1000 |
21+ |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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深圳市航润创能电子集团有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
5017 |
21+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳市华芯源电子有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
24302 |
22+ |
终端免费提供样品 可开13%增值税发票 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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INFINEONTO-263 |
5017 |
10+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
24302 |
22+ |
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深圳市亿智腾科技有限公司3年
留言
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Infineon Technologies原装 |
5000 |
23+ |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT-263 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
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INENOISOT263 |
33064 |
2237+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
留言
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infineonTO-263 |
9500 |
20+/21+ |
全新原装进口价格优势 |
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深圳市鹏锦翔科技有限公司二部2年
留言
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INFINEONTO-263 |
32350 |
19+ 20+ |
深圳存库原装现货 |
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深圳市杰顺创科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-263 |
30490 |
21+ |
原装现货库存 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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INFINEONP-TO263-3-2 |
36900 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市易讯博科技有限公司4年
留言
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InfineonNA |
2118 |
22+ |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌NA/ |
5000 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌SOT263 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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INFINEONTO-263 |
399000 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
SPB80N03S2L-03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SPB80N03S2L-03图片
SPB80N03S2L-03中文资料Alldatasheet PDF
更多SPB80N03S2L-03功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB80N03S2L-03 G功能描述:MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SPB80N03S2L-03E3045A制造商:Infineon Technologies AG
SPB80N03S2L-03G功能描述:MOSFET TRAN MOSFET N-CH 30V 80A 3-PIN TO-263 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
