| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世powerPAKSO-8L |
42 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳兆威电子有限公司7年
留言
|
VISHAYSOT669 |
1500 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
VISHAY(威世)PowerPAK(8x8) |
9203 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
|
VishayN/A |
22000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
|||
|
深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
|
Vishay(威世)PowerPAK SO-8 |
58332 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
|
深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
|
VISHATSOP-8 |
6850 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYQFN8 |
9500 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
|
VISHAYQFN8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
|
深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
|
RICOH/理光SOT23-5 |
10000 |
20+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
3000 |
自己现货 |
|||||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
 |
Vishay SiliconixPowerPAK? 8 x 8 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
11168 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
VISHAY/威世QFN |
3000 |
11+PB |
向鸿原装正品/代理渠道/现货优势 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
49500 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
|
N/A |
30350 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
VISHAYSOT669 |
20000 |
23+ |
||||
|
深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
|
VISHAYQFN |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYQFN |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
 |
Vishay SiliconixPowerPAK? SO-8 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|
|
中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
|
 |
Vishay SiliconixPowerPAK? SO-8 双 |
30000 |
23+ |
|
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
SIJ采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SIJ图片
SIJ478DP-T1-GE3价格
SIJ478DP-T1-GE3价格：￥0.0000品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SIJ478DP-T1-GE3多少钱，想知道SIJ478DP-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.0000。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SIJ478DP-T1-GE3批发价格及采购报价，SIJ478DP-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SIJ478DP-T1-GE3报价。
SIJA22DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SIJ400DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 32A 69.4W 4.0mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIJ420DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20 V(D-S) MOSFET
SIJ420DP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 20V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ458DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SIJ458DP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 30V 8-SOIC RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ478DP-T1-GE3制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N-CHAN 80V SO-8L 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 80-V(D-S) MOSFET
SIJ482DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80 V(D-S) MOSFET
SIJ482DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 80V 6.2mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIJ484DP-T1-GE3功能描述:MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8L RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SIJ591CIN WAF制造商:Texas Instruments
