| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市纽联电子有限公司1年
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VISHAYSO-8 |
4373 |
1813+ |
MOSFET,N沟道,150V,4.8A,PowerPAK SO-8 |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
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VISHAY/威世QFN8 |
28650 |
23+ |
主营品牌深圳百分百原装现货假一罚十绝对价优 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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59888 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
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VISHAYQFN8 |
6850 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAY/威世QFN8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VIHSQFN |
40 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
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VISHAY威世半导体SO-8 |
7881 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世PowerPAK-SO-8 |
12845 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)PowerPAK-SO-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)PowerPAK SO-8 |
61317 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
18000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK-SO-8 |
21368 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市诚中源科技有限公司5年
留言
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VISHAYQFN8 |
13568 |
22+ |
实力现货,随便验! |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
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VISHAYQFN8 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISAHY?QSON |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYQFN8 |
8560 |
23+ |
原包装原标签特价销售 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYPowerPAK SO-8 |
3000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYPowerPAK SO-8 |
9653 |
21+ |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYPOWERPAKS |
3257 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
SI7898DP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7898DP图片
SI7898DP-T1-E3价格
SI7898DP-T1-E3价格：￥3.2979品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7898DP-T1-E3多少钱，想知道SI7898DP-T1-E3价格是多少？参考价：￥3.2979。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7898DP-T1-E3批发价格及采购报价，SI7898DP-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI7898DP-T1-E3报价。
SI7898DP-T1-GE3资讯
SI7898DP-T1-GE3原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
SI7898DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7898DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V(D-S) MOSFET
SI7898DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V(D-S) MOSFET
SI7898DP-T1制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 150V 3A 8-Pin PowerPAK SO T/R
SI7898DP-T1-E3功能描述:MOSFET 150V 4.8A 0.085Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7898DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 4.8A 5.0W 85mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
