选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)PowerPAK1212-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK_1212-8 |
61843 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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501000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYDFN |
3000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世QFN |
2500 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世QFN-8 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
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Vishay SiliconixPowerPAK? 1212-8 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAYQFN |
18000 |
24+ |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
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VISHAYDFN |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市科雨电子有限公司4年
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VISHAYDFN |
1675 |
20+ |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
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深圳市澳亿芯电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYQFN8 |
27976 |
1709+ |
普通 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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收购ICQFN8 |
5083 |
1525+ |
长期现金收购原装IC |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYQFN8 |
12000 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYQFN |
18000 |
23+ |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世PowerPAK1212-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISQFN8 |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货,欢迎咨询 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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Vishay(威世)N/A |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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VISHAYPOWERPAK-8 |
28600 |
22+ |
只做原装正品现货假一赔十一级代理 |
SI7812采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI7812图片
SI7812DN-T1-GE3价格
SI7812DN-T1-GE3价格:¥5.7361品牌:Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7812DN-T1-GE3多少钱,想知道SI7812DN-T1-GE3价格是多少?参考价:¥5.7361。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI7812DN-T1-GE3批发价格及采购报价,SI7812DN-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI7812DN-T1-GE3报价。
SI7812DN-T1-GE3资讯
Si7812DN-T1-GE3 原装现货库存,优势供应 电话:0755-23616256 17722638859
专业为客户提供电子元器件一站式采购,配单,可开17点增值税发票
SI7812DN-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7812制造商:SECOS 制造商全称:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:3-Terminal Positive Voltage Regulator
SI7812DN制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 75-V(D-S) MOSFET
SI7812DN-T1-E3功能描述:MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7812DN-T1-GE3功能描述:MOSFET 75V 16A 52W 37mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube