| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
100 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
3000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK? SO-8 |
59270 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYQFN8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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SINA/ |
113 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
6000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世DFN56 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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VISHAYQFN |
6000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
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深圳市正纳电子有限公司7年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
原装正品 可支持验货，欢迎咨询 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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SIQFN-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市君亿电子科技有限公司3年
留言
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VISHAYQFN8 |
12800 |
21+ |
只有原装 ,可支持实单 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市华康联电子科技有限公司12年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
23+ |
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深圳市九方航科技有限公司3年
留言
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VISQFN |
29600 |
19+ |
绝对原装现货,价格优势! |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
699839 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISHAYQFN8 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISQFN |
5000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAYQFN |
59 |
05+ |
SI7464DP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7464DP图片
SI7464DP-T1-E3价格
SI7464DP-T1-E3价格：￥4.1055品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7464DP-T1-E3多少钱，想知道SI7464DP-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.1055。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7464DP-T1-E3批发价格及采购报价，SI7464DP-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI7464DP-T1-E3报价。
SI7464DP中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7464DP制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 6-V(D-S) Fast Switching MOSFET
SI7464DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 6-V(D-S) Fast Switching MOSFET
SI7464DP-T1-E3功能描述:MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7464DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 200V 2.8A 4.2W 240mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
