| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61003 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器QFN16 |
13392 |
2206+ |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)PowerPAK SO-8 |
62195 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
24000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN |
1680 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司11年
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VISHAY/威世QFN8 |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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VISHAY原厂原装 |
3000 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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VISHAYQFN8 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世QFN8 |
2340 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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TOKOSMD |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAYPPAKSO-8 |
12000 |
24+ |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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VISHAYQFN8 |
19105 |
2024 |
原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世QFN |
10053 |
2105+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市智亦芯科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世DFN8 |
699 |
21+ |
正品现货 |
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深圳市鼎欣微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世QFN |
21000 |
22+ |
原厂原包装。假一罚十。可开13%增值税发票。 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYSO-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世QFN |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
SI7450DP采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI7450DP图片
SI7450DP-T1-E3价格
SI7450DP-T1-E3价格：￥5.9415品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI7450DP-T1-E3多少钱，想知道SI7450DP-T1-E3价格是多少？参考价：￥5.9415。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI7450DP-T1-E3批发价格及采购报价，SI7450DP-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI7450DP-T1-E3报价。
SI7450DP-T1-GE3资讯
SI7450DP-T1-E3
SI7450DP-T1-E3绝对原装进口现货可开17%增值税发票
SI7450DP-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI7450DP制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI7450DP_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 200-V(D-S) MOSFET
SI7450DP-T1功能描述:MOSFET 200V 5.3A 5.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7450DP-T1-E3功能描述:MOSFET 200V 5.3A 5.2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI7450DP-T1-GE3功能描述:MOSFET 200V 5.3A 5.2W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
