| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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香港创芯邦电子有限公司2年
留言
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VISHAYSOP-8 |
125 |
23+ |
现货库存 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISNA/ |
500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
5250 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP |
3587 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SI8P |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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VISHAY |
9750 |
37576+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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SILSOIC-8 |
2 |
02+ |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISSOP-8 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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VISHAYSOP8 |
847 |
05/06+ |
全新原装100真实现货供应 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市近平电子有限公司8年
留言
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SILSOIC-8 |
6000 |
02+ |
绝对原装自己现货 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
893993 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SI贴片 |
3000 |
自己现货 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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VISHAY/威世SOP |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市华来深电子有限公司11年
留言
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VISSOP-8 |
8650 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
SI4940DY采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4940DY图片
SI4940DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4940DY功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-E3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1-E3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4940DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 40V 5.7A 2.1W 36mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
