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深圳市拓亿芯电子有限公司

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SI4925BDY

VISHAY/威世SOP8

12500

23+

只做进口原装假一罚百

深圳市瑞浩芯科技有限公司

10年 留言
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SI4925BDY

VISHAY/威世SOP8

15000

21+

全新原装现货,假一赔十

深圳市富诚威科技有限公司

5年 留言
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SI4925BDY

VISHAY/威世SOP8

2769

22+

绝对原装!公司现货!

深圳市硅宇电子有限公司

10年 留言
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SI4925BDY

Vishay(威世)-

62686

2249+

二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口

深圳市艾宇特电子科技有限公司

6年 留言
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VISHAY/威世10

9850

21+

只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市汇莱威科技有限公司

11年 留言
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VISHAY/威世SOP8

7906200

瀚佳科技(深圳)有限公司

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VISHAYSOP8

9800

18+

一级代理/全新原装现货/长期供应!

深圳市向鸿伟业电子有限公司

12年 留言
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VISHAY/威世SOP8

5209

22++

原装正品!诚信经营,实单价优!

深圳市高捷芯城科技有限公司

4年 留言
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VISHAY(威世)SOP-8

9555

23+

支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。

深圳市百域芯科技有限公司

3年 留言
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BychipSOP8

10000

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高品质替代,技术支持,参数选型

深圳市河锋鑫科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

475

12+

原装正品 可含税交易

深圳市创新迹电子有限公司

1年 留言
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VISHAY/威世SO-8

9000

2021+

原装现货,随时欢迎询价

深圳市珩瑞科技有限公司

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VISHAY/威世

6000

21+

原装正品

深圳市福田区晶康业电子商行

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VISHAYSOP8

370

17+

全新原装,价格优势

深圳市硅宇电子有限公司

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Vishay(威世)

62923

2249+

二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口

深圳市得捷芯城科技有限公司

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SI4925BDY

Vishay(威世)标准封装

9048

23+

原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期

中天科工半导体(深圳)有限公司

13年 留言
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STSOP8

67500

20+

原装优势主营型号-可开原型号增税票

深圳市得捷芯城科技有限公司

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VISNA/

500

23+

优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

深圳市科恒伟业电子有限公司

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SOIC8

3526

2016+

假一罚十进口原装现货原盘原标!

深圳市天成基业科技有限公司

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VISHAY/威世SOP8

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SI4925BDY-T1-E3价格

SI4925BDY-T1-E3价格:¥2.6711品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI4925BDY-T1-E3多少钱,想知道SI4925BDY-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.6711。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4925BDY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4925BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4925BDY-T1-E3报价。

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SI4925BDY功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4925BDY-E3功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4925BDY-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R

SI4925BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4925BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube