选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
12500 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市瑞浩芯科技有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
15000 |
21+ |
全新原装现货,假一赔十 |
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深圳市富诚威科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOP8 |
2769 |
22+ |
绝对原装!公司现货! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62686 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
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VISHAYSOP8 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
475 |
12+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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深圳市福田区晶康业电子商行2年
留言
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VISHAYSOP8 |
370 |
17+ |
全新原装,价格优势 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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62923 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
9048 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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STSOP8 |
67500 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISNA/ |
500 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
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SOIC8 |
3526 |
2016+ |
假一罚十进口原装现货原盘原标! |
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深圳市天成基业科技有限公司2年
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VISHAY/威世SOP8 |
500 |
21+ |
全新、原装 |
SI4925BDY采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4925BDY图片
SI4925BDY-T1-E3价格
SI4925BDY-T1-E3价格:¥2.6711品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4925BDY-T1-E3多少钱,想知道SI4925BDY-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.6711。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4925BDY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4925BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4925BDY-T1-E3报价。
SI4925BDY资讯
SI4925BDY
www.jskj-ic.com
SI4925BDY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4925BDY功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4925BDY-E3功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4925BDY-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
SI4925BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 7.1 Amp 2.0W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4925BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube