选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FAIRCHILDSOP8 |
1600 |
05+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
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FAIRCHILD/仙童SOP8 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市凯盛恒创科技有限公司3年
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FAIRCHILDSOP8 |
50000 |
19+ |
全新原装 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
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FAIRCHILSOP-8 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SOP-8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美SOP8 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市芯智源科技有限公司2年
留言
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ON安森美N/A |
30000 |
23+ |
支持实单!只做原装 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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ON/安森美SMD |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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迈思希姆半导体(江苏)有限公司5年
留言
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FCSSOP-8 |
11846 |
1818+ |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOP-8 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOP |
90000 |
23+ |
只做原装 !全系列供应可长期供货稳定价格优势! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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60029 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemi8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
留言
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ON/安森美NA |
14280 |
23+ |
强势渠道订货 7-10天 |
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SI4532DY价格
SI4532DY价格:¥1.9511品牌:Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的SI4532DY多少钱,想知道SI4532DY价格是多少?参考价:¥1.9511。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4532DY批发价格及采购报价,SI4532DY销售排行榜及行情走势,SI4532DY报价。
SI4532DY资讯
SI4532DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4532DY功能描述:MOSFET 30V Dual N/P FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532DY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532DY-T1制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 30V 3.9A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R
SI4532DY-T1-E3功能描述:MOSFET 30 Volt 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube