| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
10000 |
22+ |
现货库存，价格优势 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5000 |
23+ |
全新进口原装现货，假一赔十，支持检测 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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原装NA |
40177 |
23+ |
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热卖原装进口 |
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深圳市麒裕半导体科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
6000 |
全新年份 |
性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好 |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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FAIRCHILDSOP8 |
1600 |
05+ |
全新原装绝对自己公司现货 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILSOP-8 |
9518 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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FAIRCHILSOP-8 |
53500 |
2023+ |
正品,原装现货 |
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深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童SOP8 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOP-8 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
2743 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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IRQFN8 |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SO-8 |
7500 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
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SISOP-8 |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSO-8 |
32500 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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VISHAYSOP-8 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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SI4532图片
SI4532CDY-T1-GE3价格
SI4532CDY-T1-GE3价格：￥0.8884品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI4532CDY-T1-GE3多少钱，想知道SI4532CDY-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.8884。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4532CDY-T1-GE3批发价格及采购报价，SI4532CDY-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI4532CDY-T1-GE3报价。
SI4532CDY-GE3资讯
SI4532CDY-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4532ADY功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADYT1E3制造商:Vishay Siliconix
SI4532ADY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532ADY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2.0W 53/80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532CDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N- and P-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SI4532CDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532DY功能描述:MOSFET 30V Dual N/P FET Enhancement Mode RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4532DY-E3功能描述:MOSFET 30V 4.9/3.9A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
