选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市芯艺涵电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
10000 |
23+ |
原装现货 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
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VISHAY/威世SOIC-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
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VISHAYSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
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VISHAY/威世SOP8 |
5209 |
22++ |
原装正品!诚信经营,实单价优! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)SOIC-8 |
60508 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世SOIC-8 |
3710 |
22+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
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VishayN/A |
2500 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOP-8 |
9875 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOIC-8 |
8847 |
1826+ |
只做原装正品 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOP8 |
1516 |
21+ |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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VISHAYSOP8 |
18600 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
7906200 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2500 |
23+ |
公司只做原装现货库存! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
10800 |
2022+ |
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只做原装进口 免费送样 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOIC-8 |
18 |
18+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市恒凯威科技开发有限公司8年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
8080 |
21+ |
只做原装,质量保证 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOP8 |
14488 |
22+ |
公司现货直销 只做原装正品 |
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深圳市吉华创芯电子科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
有问必回一专注现货一Q.微.恭候一备货HK仓 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SOIC-8 |
12000 |
22+ |
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VSISHAY 品牌专卖 持续到货 |
SI4488采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI4488图片
SI4488DY-T1-E3价格
SI4488DY-T1-E3价格:¥2.9277品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4488DY-T1-E3多少钱,想知道SI4488DY-T1-E3价格是多少?参考价:¥2.9277。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4488DY-T1-E3批发价格及采购报价,SI4488DY-T1-E3销售排行榜及行情走势,SI4488DY-T1-E3报价。
SI4488DY-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4488DY功能描述:MOSFET 150V 5A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4488DY_06制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 150-V(D-S) MOSFET
SI4488DY-E3功能描述:MOSFET 150V 5A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4488DY-T1功能描述:MOSFET 150V 5A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4488DY-T1-E3功能描述:MOSFET 150V 5A 3.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4488DY-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; SOIC8 150V N-Channel Trench
SI4488DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 150V 5.0A 3.1W 50mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube