选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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Vishay(威世)标准封装 |
7098 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
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VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY/威世NA/ |
22612 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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9852 |
2046+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
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FSCSOP-8 |
32568 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
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VISHAY/威世SOP-8. |
60 |
23+ |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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90000 |
公司只做集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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FSCSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市品优时代科技有限公司5年
留言
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VISHAY |
9750 |
37536+ |
进品原装正品 现货库存带17%增值发票 |
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上海鑫科润电子科技有限公司7年
留言
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SILICONIXSOP |
283 |
97P3 |
原装现货海量库存欢迎咨询 |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONIXSOP8 |
9862 |
18+ |
全新原装现货/假一罚百! |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP8 |
2987 |
22+ |
只售原装自家现货!诚信经营!欢迎来电! |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
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SIX/XILISOP |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SMD-8 |
15000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
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深圳市宏世佳电子科技有限公司14年
留言
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SILICONIXSOP |
3550 |
2023+ |
全新原厂原装产品、公司现货销售 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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SI贴片 |
3000 |
自己现货 |
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深圳市佳鑫美电子科技有限公司12年
留言
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SISOP |
7500 |
22+ |
十年品牌!原装现货!!! |
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深圳市星佑电子有限公司16年
留言
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VHY原厂原装 |
251 |
05+ |
只做全新原装真实现货供应 |
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SI4480DY图片
SI4480DY中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4480DY功能描述:MOSFET SO8 NCH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 80V 6.0A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube