| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
|
深圳市兴灿科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SOP8 |
13500 |
23+ |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
|||
|
深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
|
深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
6000 |
21+ |
原装正品 |
|||
|
深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SMD-8 |
30000 |
23+ |
百分百进口原装环保整盘 |
|||
|
深圳市福安瓯科技有限公司11年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
2050 |
22+ |
福安瓯为您提供真芯库存,真诚服务 |
|||
|
深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
|
SiSOP-8 |
2000 |
23+ |
||||
|
深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
|
3000 |
自己现货 |
|||||
|
瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
|||
|
深圳市兴灿科技有限公司8年
留言
|
SISOP8 |
28500 |
23+ |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
|||
|
深圳市力通伟业半导体有限公司8年
留言
|
SISOP-8 |
10 |
13+ |
特价热销现货库存 |
|||
|
深圳市芯为科技有限公司5年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Vishay(威世)标准封装 |
7098 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
|||
|
上海意淼电子科技有限公司8年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
20000 |
23+ |
全新原装假一赔十 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
VISHATSOP-8 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
|
VISHAYSOP-8 |
8888888 |
21+ |
全新原装现货价格优惠可开票 |
|||
|
深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
|
VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||
|
深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
|
SISOP8P |
3000 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
|||
|
千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
|
SILICONIXSO-8 |
6010 |
17+ |
只做原装正品 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SO-8 |
860000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
SI4480采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4480图片
SI4480EY-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4480DY功能描述:MOSFET SO8 NCH 80V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480DY-T1-GE3功能描述:MOSFET 80V 6.0A 2.5W 35mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480EY功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480EY-E3功能描述:MOSFET 80V 6A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4480EY-T1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 80-V(D-S) MOSFET
SI4480EY-T1-E3功能描述:MOSFET 80 Volt 6.0 Amp 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
