选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VISHAY |
1095 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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SINA |
30000 |
22+ |
原装现货假一罚十 |
共有2条记录
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SI4466DY-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4466DY-E3功能描述:MOSFET 20V 13.2A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube