| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市永智通贸易有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
2500 |
10+ |
原装正品现货 特价支持实单 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOP-8 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市百域芯科技有限公司3年
留言
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BychipSOP8 |
10000 |
23+ |
高品质替代,技术支持,参数选型 |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSO-8 |
2500 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
60331 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAY8-SO |
2500 |
20+ |
全新原装 支持BOM配单 |
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鑫勃源（上海北京 青岛）有限公司10年
留言
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VISHAY模块 |
18000 |
23+ |
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深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
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VBSEMI-微碧车规-场效应管 |
143788 |
24+25+/26+27+ |
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一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
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艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
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VBsemi(台湾微碧)SO-8 |
105000 |
2112+ |
4000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
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深圳市宏德伟创科技有限公司1年
留言
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VISHAYSOP |
8000 |
23+ |
原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix8-SOIC |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
27048 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市英卓尔科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOP-8 |
2960 |
20+ |
诚信交易大量库存现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAY/威世NA |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay Siliconix8-SOIC |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAYSOP-8 |
63258 |
20+ |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
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VISHAYSOP8 |
1021 |
18+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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深圳市金芯世纪电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOP-8 |
100000 |
22+ |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世NA |
64858 |
21+ |
全新原装现货 支持免费送样! |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOP-8 |
50000 |
2024+ |
原装现货 |
SI4463BDY-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI4463BDY-T1图片
SI4463BDY-T1-E3价格
SI4463BDY-T1-E3价格：￥4.1039品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4463BDY-T1-E3多少钱，想知道SI4463BDY-T1-E3价格是多少？参考价：￥4.1039。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4463BDY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4463BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4463BDY-T1-E3报价。
SI4463BDY-T1-E3资讯
SI4463BDY-T1-GE3
SI4463BDY-T1-GE3
SI4463BDY-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI4463BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 13.7A 0.011Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4463BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 13.7A 3.0W 11mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
