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深圳市亚泰盈科电子有限公司

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SI4435DDY

VISHAYSOP8

658926

2021+

代理VISHAY全系列,价格优

深圳市珩瑞科技有限公司

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SI4435

SISOP8

9791

21+

全新原装现货诚信经营

深圳市金胜达微科技有限公司

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SI4435DDY-T1-GE3

VISHAYSOP8

25000

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原厂订货价格优势,可开13%的增值税票

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI4435DDY

原装NA

37545

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热卖原装进口

中天科工半导体(深圳)有限公司

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SI4435DYTRPBF

INFINEON/英飞凌TO252

35000

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热卖原装现货

深圳市中飞芯源科技有限公司

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SI4435DDY-T1-GE3

VISHAYSO-8

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原装,可配单

深圳市智连鑫科技有限公司

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SI4435DDY-T1-GE3

VISHAYSO-8

12800

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只做现货

深圳市麒裕半导体科技有限公司

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SI4435DDY-T1-GE3

VISHAY/威世SOP-8

10000

全新年份

性价比之王一站式配单,可靠、高效、价格好

深圳市金启宁科技有限公司

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TI/德州仪器TSSOP20

13215

2206+

深圳市拓亿芯电子有限公司

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IR/INFINEONSOP-8

25000

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只做进口原装假一罚百

深圳市明嘉莱科技有限公司

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VISHAYSMD

918000

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明嘉莱只做原装正品现货

深圳市大联智电子有限公司

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VISHAY/威世SOP-8

34000

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原装现货,一站式配套

深圳诚思涵科技有限公司

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VISHAYSOP-8

8000

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只做原装正品现货

深圳市昌和盛利电子有限公司

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VISHAY原装正品专卖价SOP-8

58000

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专注原装正品现货特价中量大可定

深圳市跃创芯科技有限公司

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INFINEON/英飞凌SOP8

60000

21+

绝对原装正品现货,假一罚十

深圳市科恒伟业电子有限公司

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VISHAY/威世SOP8

9850

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市豪迈兴电子有限公司

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Vishay(威世)SOIC-8_150mil

6652

2306+

只做原装现货假一罚十!价格最低!只卖原装现货

深圳市科恒伟业电子有限公司

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IRSOIC-8

9850

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只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!

深圳市正纳电子有限公司

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VISHAY/威世SOP8

32078

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深圳市胜彬电子有限公司

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VISHAYSOP-8

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SI4435DYPBF价格

SI4435DYPBF价格:¥1.0567品牌:INTERNATIONAL

生产厂家品牌为INTERNATIONAL的SI4435DYPBF多少钱,想知道SI4435DYPBF价格是多少?参考价:¥1.0567。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI4435DYPBF批发价格及采购报价,SI4435DYPBF销售排行榜及行情走势,SI4435DYPBF报价。

SI4435DDY-T1-GE3资讯

SI4435DYTRPBF

SI4435DYTRPBF

SI4435BDY-T1-E3 SOP-8 晶体MOS管 P通道 SI4435BDY-T1-E3 详细中文参数

分立式导体产品MOSFETP-CH30V7A8-SOIC

SI4435DDY-T1-GE3 深圳市力通伟业半导体有限公司

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SI4435BDY-T1-E3绝对原装进口现货可开17%增值税发票

SI4435DDY 洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551

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Si4435BDY制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET P-CH 30V 7A 8-Pin SOIC N

SI4435BDY_1制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

SI4435BDY-T1功能描述:MOSFET 30V 9.1A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4435BDYT1E3制造商:SILX

SI4435BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 8A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4435BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 9.1A 2.5W 20mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4435BDYT-T1-E3制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC *MIC*

SI4435DDY制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET

Si4435DDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI4435DDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 11.4A 5.0W 24mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube