| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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SISOP-8 |
7500 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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SISOP-8 |
11980 |
2122+ |
只做原装进口正品,假一赔十,价格优势 |
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深圳兆威电子有限公司11年
留言
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VISSOP |
90000 |
23+ |
只做原装 ！全系列供应可长期供货稳定价格优势！ |
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深圳市金胜达微科技有限公司2年
留言
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VISHAYSOP-8 |
13000 |
21+ |
原厂订货价格优势,可开13%的增值税票 |
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深圳芯力源电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世23+ |
5000 |
SOP8 |
深圳现货支持实单 |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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IRSOP8 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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Infineon(英飞凌)SOP-8 |
10613 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOP8 |
9850 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOP8 |
45 |
0830+ |
原装库存有订单来谈优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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INFINEON/英飞凌SO8 |
7906200 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
6000 |
20+原装正品 |
大量现货,免费发样。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRSOP-8 |
4000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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标准国际(香港)有限公司16年
留言
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168 |
04+ |
全新原装!优势库存热卖中! |
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深圳市吉华创芯电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOP8 |
12200 |
0830+ |
自家仓库现货.原装开专票 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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6996 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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IRSOP |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳诚思涵科技有限公司3年
留言
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VISHAYSOP-8 |
8000 |
22+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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IRSOP-8 |
6900 |
2138+ |
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SI4410BDY-T1-E3价格
SI4410BDY-T1-E3价格：￥1.4134品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI4410BDY-T1-E3多少钱，想知道SI4410BDY-T1-E3价格是多少？参考价：￥1.4134。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI4410BDY-T1-E3批发价格及采购报价，SI4410BDY-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI4410BDY-T1-E3报价。
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更多SI4410制造商:International Rectifier
SI4410BDY制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SO-8
SI4410BDY-E3制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:7500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
SI4410BDYT1制造商:Vishay Siliconix
SI4410BDY-T1制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8-Pin SOIC N T/R 制造商:Vishay Semiconductors
SI4410BDY-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410BDY-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 10A 2.5W 13.5mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY功能描述:MOSFET 30V N-Ch. FET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY /T3功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4410DY,518功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
