| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
6500 |
23+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金启宁科技有限公司10年
留言
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TI/德州仪器VSSOP10 |
14350 |
2206+ |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
25000 |
23+ |
只做进口原装假一罚百 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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KELNA |
8800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市壹芯创科技有限公司12年
留言
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VISHAY/威世通SMD |
1000 |
22+ |
只做原装!公司现货库存!QQ:2369405325 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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35600 |
23+ |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
8750 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市智创诚芯电子科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世货真价实,假一罚十 |
25000 |
SOT23-3 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
141 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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天津市博通航睿技术有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-23 |
6000 |
2022+ |
全新原装，有单必成 |
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深圳市云美电子科技有限公司1年
留言
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VISHAYSOT23 |
99750 |
22+ |
只做原装进口现货 |
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深圳市东来宝电子科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23 |
99750 |
22+ |
郑重承诺只做原装进口现货 |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOT23 |
700000 |
23+ |
公主请下单 柒号只做原装 |
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SI2343图片
SI2343DS价格
SI2343DS价格：￥0.5200品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI2343DS多少钱，想知道SI2343DS价格是多少？参考价：￥0.5200。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2343DS批发价格及采购报价，SI2343DS销售排行榜及行情走势，SI2343DS报价。
SI2343CDS-T1-GE3资讯
SI2343CDS-T1-GE3 _ 洪兴微电子商行 0755-82548551/13590219551
SI2343CDS-T1-GE3 _洪兴微电子商行0755-82548551/13590219551
SI2343CDS-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2343CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V(D-S) MOSFET
SI2343CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 5.9A P-CH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2343DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V(D-S) MOSFET
SI2343DS-T1功能描述:MOSFET 30V 4.0A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2343DS-T1-E3功能描述:MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53 mohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2343DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 30V 4.0A 1.25W 53mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
