选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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华星微半导体(深圳)有限公司1年
留言
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VishayN/A |
5000 |
23+ |
代理分销,可追溯 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59309 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市特瑞斯科技有限公司5年
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VISHAYSOT23 |
96000 |
23+ |
一级分销商 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-3 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司12年
留言
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50 |
2015+ |
公司现货库存 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SIPUSEMISOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SOT-23(SOT-23-3) |
58058 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
113749 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
7686 |
1837+ |
只做原装正品 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23 |
38500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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VBsemi(微碧)SOT-23 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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沈阳智越科技有限公司0年
留言
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1000 |
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深圳市瑞智芯科技有限公司3年
留言
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VishayN/A |
100 |
22+ |
订货库存 只做原装 |
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芯权科技(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-23 |
68950 |
23+ |
原装/支持-工厂-含税-拆样 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
9850 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
100586 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
78550 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
SI2323DS采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
SI2323DS图片
SI2323DS-T1价格
SI2323DS-T1价格:¥0.8450品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI2323DS-T1多少钱,想知道SI2323DS-T1价格是多少?参考价:¥0.8450。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI2323DS-T1批发价格及采购报价,SI2323DS-T1销售排行榜及行情走势,SI2323DS-T1报价。
SI2323DS-T1-GE3资讯
SI2323DS-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2323DS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
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SI2323DST1制造商:Vishay Intertechnologies
SI2323DS-T1功能描述:MOSFET 20V 4.7A 0.75W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2323DS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 3.7A 0.039Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2323DS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 4.7A 1.25W 39 mohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube