| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市豪迈兴电子有限公司12年
留言
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VISHAYsot-23 |
10000 |
2339+ |
进口原装现货 |
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深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
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VISHAYSOT23 |
9000 |
1909+ |
威世原装正品,向鸿现货 |
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美源芯科（深圳）电子科技有限公司2年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
20000 |
21+ |
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深圳市弘扬芯城科技有限公司1年
留言
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TECH PUBLIC(台舟)SOT-23-3 |
5000 |
24+ |
诚信服务,绝对原装原盘。 |
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深圳市振宏微科技有限公司5年
留言
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CJSOT23 |
600000 |
23+ |
原装正品!假一罚十! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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CJ |
2700 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市星宇佳科技有限公司2年
留言
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TASUND/泰盛达SOT-23 |
30000 |
2020+ |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
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China(国产)N/A |
4550 |
2023+ |
全新原装正品 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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MCC/美微科SOT23 |
7906200 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
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SI/国产SOT-23 |
18998 |
2013+ |
专业代理MOS管 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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国产SOT23 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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CAN SHENG CS灿升SOT23SOT23-3 |
12800 |
2023+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市诚利顺电子科技有限公司17年
留言
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SISOT23 |
3500 |
22+ |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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恒佳兴SOT23 |
12000 |
2020+ |
原装正品,大量现货,免费拿样。 |
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深圳市斌能达电子科技有限公司7年
留言
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SOT23 |
2000 |
23+ |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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NEXPSOP |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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HB原厂原装正品 |
8000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY SEMICONDUCTORSMD |
918000 |
23+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SI2302CDS-T1-GE3价格
SI2302CDS-T1-GE3价格：￥0.3250品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI2302CDS-T1-GE3多少钱，想知道SI2302CDS-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.3250。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2302CDS-T1-GE3批发价格及采购报价，SI2302CDS-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI2302CDS-T1-GE3报价。
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SI2302CDS-T1-GE3 20V
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SI2302DDS-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2302功能描述:MOSFET 20V 3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2302_11制造商:MCC 制造商全称:Micro Commercial Components 功能描述:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
SI23022S99制造商:ABB Control 功能描述:STARTER STAR DELTA 22KW 230V
SI2302ADS制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SOT-23
SI2302ADS-T1功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2302ADS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.06Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2302ADS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.9W 60mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2302CDS制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI2302CDS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2302CDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.9A 0.86W 57mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
