| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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59337 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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SIPUSEMISOT-23 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT23 |
15800 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳兆威电子有限公司7年
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VISHAY/威世SOT-23 |
35689 |
23+ |
优势产品常备现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
35000 |
23+ |
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热卖原装现货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
26052 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
6906 |
24+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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东莞市万芯半导体有限公司1年
留言
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100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT23-3 |
2500 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOT-23-3 |
5208 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-23-3 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT23 |
7906200 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SOT-23-3 |
61186 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
300000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
9000 |
2021+ |
原装现货,随时欢迎询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23-3 |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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VISHAYSOT23 |
50000 |
23+ |
全新原装现货热卖 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23 |
28750 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-23 |
200000 |
23+ |
有挂就有货,只做原装免费送样-可BOM配单 |
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SI2301BDS图片
SI2301BDS-T1-E3价格
SI2301BDS-T1-E3价格：￥0.4779品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI2301BDS-T1-E3多少钱，想知道SI2301BDS-T1-E3价格是多少？参考价：￥0.4779。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI2301BDS-T1-E3批发价格及采购报价，SI2301BDS-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI2301BDS-T1-E3报价。
SI2301BDS-T1-E3资讯
SI2301BDS-T1-E3全新原装现货
瀚佳科技（深圳）有限公司专业进口电子元器件代理商
SI2301BDS-T1-E3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI2301BDS制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P SOT-23
SI2301BDS_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 2.5-V(G-S) MOSFET
SI2301BDS-T1功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.7W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2301BDS-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 2.0A 0.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI2301BDS-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 2.4A 0.9W 100mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
