| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
VISHAY/威世SOT363 |
7906200 |
|||||
|
深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
|
VISHAYSOT-363 |
23400 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SC70-6 |
120000 |
20+ |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳兆威电子有限公司7年
留言
|
VISHAYSOT-363 |
5500 |
23+ |
只做原装全系列供应价格优势 |
|||
|
深圳市广弘电子有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世SC70-6 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYSOT363 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
VISHAYSOT363 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市威雅利发展有限公司5年
留言
|
VISHAYsot363 |
3000 |
08+ |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
|
深圳市柯尔基电子有限公司10年
留言
|
VISHAYSOT89 |
136800 |
23+24 |
专业经营原装MOS管,二极管.三极管TVS瞬变抑制 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
VISHAY/威世SOT363 |
4856 |
1950+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
深圳市芯诚实创科技有限公司2年
留言
|
VISHAYSOT23 6 |
2300 |
2022 |
原装现货,诚信经营! |
|||
|
深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
|
VISHAY原厂封装 |
350000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
|||
|
深圳市昌和盛利电子有限公司14年
留言
|
VISHAYSOT-363 |
19567 |
23+ |
||||
|
深圳市星佑电子有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SOT23 |
20000 |
21+ |
全新原装 公司现货 价优 |
|||
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
VISHAYSOT363 |
8750 |
2021+ |
百分百原装正品 |
|||
|
深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SOT-363 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
|
深圳廊盛科技有限公司6年
留言
|
SISOT363 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
|||
|
深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世NA |
880000 |
03+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
|
深圳市振宏微科技有限公司8年
留言
|
SOT-363NA |
15659 |
23+ |
振宏微专业只做正品,假一罚百! |
|||
|
深圳兆威电子有限公司6年
留言
|
VISHAY/威世SOT23 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
SI1905DL-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI1905DL-T1图片
SI1905DL-T1-E3价格
SI1905DL-T1-E3价格：￥1.0624品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1905DL-T1-E3多少钱，想知道SI1905DL-T1-E3价格是多少？参考价：￥1.0624。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1905DL-T1-E3批发价格及采购报价，SI1905DL-T1-E3销售排行榜及行情走势，SI1905DL-T1-E3报价。
SI1905DL-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1905DL-T1功能描述:MOSFET 8V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1905DL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 0.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1905DL-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET; Dual P-CH 1.8V(G-S) Trench
