选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市美思瑞电子科技有限公司11年
留言
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VISHAY原厂封装 |
9035 |
22+ |
原装正品,实单请联系 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT23 |
5807 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世SOT523 |
30000 |
2019+ |
原厂渠道,提供技术支持 |
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深圳市羿芯诚电子有限公司11年
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VISHAISOT23PB |
2860 |
20+ |
原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOT323 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
414 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-323 |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市德创芯微科技有限公司1年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
3003 |
20+ |
全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-323 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-323 |
414 |
全新原装 支持BOM配单 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
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VISHAYSOT-323 |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市广弘电子有限公司4年
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VISHAY/威世SC70-3 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
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VISHAYSMD |
1274 |
1105 |
全新、原装 |
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绿盛电子(香港)有限公司5年
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VISHAY威世SOT-323 |
29898 |
2015+ |
专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品 |
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深圳市恒达亿科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-23 |
3000 |
23+ |
全新原装、诚信经营、公司现货销售! |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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VISHSOT-323 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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ZTE兴NA/ |
3280 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
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威世SOT-323 |
9999999 |
21+ |
原装正品价格优惠 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
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N/A |
38460 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市鑫宇杨电子科技有限公司8年
留言
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VISHAYSOT23 |
35000 |
2020+ |
100%进口原装正品公司现货库存 |
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SI1305DL价格
SI1305DL价格:¥0.3900品牌:VISHAY
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SI1305DL-T1功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1305DL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1305DL-T1-GE3功能描述:MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
SI1305EDL-T1功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1305EDL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1305EDL-T1-GE3功能描述:MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件