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深圳市美思瑞电子科技有限公司

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VISHAY原厂封装

9035

22+

原装正品,实单请联系

深圳市凌旭科技有限公司

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VISHAYSOT23

5807

2016+

只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

深圳市金华微盛电子有限公司

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VISHAY/威世SOT523

30000

2019+

原厂渠道,提供技术支持

深圳市羿芯诚电子有限公司

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VISHAISOT23PB

2860

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原厂原装正品价格优惠公司现货欢迎查询

深圳市汇莱威科技有限公司

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VISHAY/威世SOT323

7906200

深圳市坤融电子科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-323

414

2022+

原厂授权代理 价格绝对优势

深圳市创新迹电子有限公司

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VISHAYSOT-323

6800

2021+

原厂原装,欢迎咨询

深圳市德创芯微科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-323

3003

20+

全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微

深圳市河锋鑫科技有限公司

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VISHAY/威世SOT-323

6500

2019+PB

原装正品 可含税交易

深圳市天诺拓展科技有限公司

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VISHAYSOT-323

414

全新原装 支持BOM配单

深圳市恒意法电子有限公司

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VISHAYSOT-323

5000

21+

专营原装正品现货,当天发货,可开发票!

深圳市广弘电子有限公司

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VISHAY/威世SC70-3

5500

20+

代理库存,房间现货,有挂就是现货

深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)

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VISHAYSMD

1274

1105

全新、原装

绿盛电子(香港)有限公司

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VISHAY威世SOT-323

29898

2015+

专业代理MOS管,型号齐全,公司优势产品

深圳市恒达亿科技有限公司

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VISHAYSOT-23

3000

23+

全新原装、诚信经营、公司现货销售!

贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司

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VISHSOT-323

11200

原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO

深圳市得捷芯城科技有限公司

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ZTE兴NA/

3280

23+

原厂直销,现货供应,账期支持!

深圳市科创腾达科技有限公司

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威世SOT-323

9999999

21+

原装正品价格优惠

深圳市百视威讯电子科技有限公司

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N/A

38460

23+

正品授权货源可靠

深圳市鑫宇杨电子科技有限公司

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VISHAYSOT23

35000

2020+

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SI1305DL价格

SI1305DL价格:¥0.3900品牌:VISHAY

生产厂家品牌为VISHAY的SI1305DL多少钱,想知道SI1305DL价格是多少?参考价:¥0.3900。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI1305DL批发价格及采购报价,SI1305DL销售排行榜及行情走势,SI1305DL报价。

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SI1305DL制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET

SI1305DL_05制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET

SI1305DL_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 1.8-V(G-S) MOSFET

SI1305DL-T1功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI1305DL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI1305DL-T1-GE3功能描述:MOSFET P-CH G-S 8V SC-70-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:TrenchFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件

SI1305EDL-T1功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI1305EDL-T1-E3功能描述:MOSFET 8V 0.92A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube

SI1305EDL-T1-GE3功能描述:MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件