选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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62422 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
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VISHAYSC-75A |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SOT523 |
7906200 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
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SHARPSOT23 |
257000 |
ROHS全新原装 |
东芝半导体QQ350053121正纳全系列代理经销 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司1年
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VishaySC-75A |
9800 |
22+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SC-75A |
1680 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
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VISHAY/威世SC-75A |
10913 |
22+ |
只做原装/假一赔十/安心咨询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SC-75A |
7488 |
22+ |
公司现货直销 只做原装正品 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
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VISHAYSC89-3 |
3500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
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VISHAY/威世SOT423 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SC-75A |
26149 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
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VISHAY/威世SC89-3 |
89680 |
20+ |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
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深圳市科芯奇电子有限公司1年
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VISHAY(威世)SC-75A |
17849 |
22+ |
原装正品终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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VISHAYSC-75A |
6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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VISHAY(威世)SC-75A |
12000 |
22+ |
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VSISHAY 品牌专卖 持续到货 |
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深圳市珩瑞科技有限公司3年
留言
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6000 |
21+ |
原装正品 |
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佛山市芯光达科技有限公司8年
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VISHAY威世半导体SC-75A |
18703 |
23+ |
进口原装假一赔十可开增值票 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSC-75A |
5000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SC-75A |
61336 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市天诺拓展科技有限公司1年
留言
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VISHAYSC-75A |
1409 |
21+ |
全新原装 支持BOM配单 |
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SI1032R图片
SI1032R价格
SI1032R价格:¥0.3900品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1032R多少钱,想知道SI1032R价格是多少?参考价:¥0.3900。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI1032R批发价格及采购报价,SI1032R销售排行榜及行情走势,SI1032R报价。
SI1032R-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1032R制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET, N, SC-75A
SI1032R_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 1.5-V(G-S) MOSFET
SI1032R-T1功能描述:MOSFET 20V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1032R-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1032R-T1-GE3功能描述:MOSFET 20V 200mA 280mW 5.0ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube