| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
留言
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VISHAYSMD |
806 |
全新、原装 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
7906200 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY进口原装 |
8811 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SC-89 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-563 |
12851 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
5880 |
2021+ |
只做原装优势渠道可全系列订货开增值税票 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-563 |
32500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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42436 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
留言
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VISHAYSMD |
5547 |
09+ |
全新、原装 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SC-89 |
58632 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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TOSHIBA/东芝SOD-123 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市广弘电子有限公司3年
留言
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SI1026X-T1-GE3SOT-563 |
6500 |
2019+PB |
13632880263 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)NA/ |
8735 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市艾宇特电子科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世2116+ |
9852 |
SMD |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SMD |
990000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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SI1026X图片
SI1026X-T1-GE3价格
SI1026X-T1-GE3价格：￥0.7284品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1026X-T1-GE3多少钱，想知道SI1026X-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.7284。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1026X-T1-GE3批发价格及采购报价，SI1026X-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI1026X-T1-GE3报价。
SI1026X中文资料Alldatasheet PDF
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SI1026X-T1功能描述:MOSFET 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1026X-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1026X-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1026X-T1-GE3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL 60V(D-S) N-CH MOSFET W/ESD PR
