| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
5880 |
2021+ |
只做原装优势渠道可全系列订货开增值税票 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
7906200 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY进口原装 |
8811 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SC-89 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市欧立现代科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-563 |
12851 |
22+ |
绝对原装现货,价格低,欢迎询购! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-563 |
32500 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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千层芯半导体(深圳)有限公司6年
留言
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SILICONLABSLGA-85 |
6000 |
17+ |
100%原装进口现货,欢迎来电咨询 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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42436 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市兴联达电子有限公司(原兴达电子)5年
留言
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VISHAYSMD |
5547 |
09+ |
全新、原装 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SC-89 |
58632 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市华鑫创达电子有限公司1年
留言
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TOSHIBA/东芝SOD-123 |
10000 |
22+ |
公司原装现货,欢迎咨询 |
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深圳市广弘电子有限公司3年
留言
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SI1026X-T1-GE3SOT-563 |
6500 |
2019+PB |
13632880263 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
45000 |
23+ |
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热卖优势现货 |
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中天科工半导体（深圳）有限公司13年
留言
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Vishay SiliconixSOT-563,SOT-666 |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAYSOT563 |
12000 |
23+ |
全新原装,优势现货 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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VISHAY/支持实单SOT-563 |
9000 |
24+ |
假一赔百原装正品价格优势实单可谈 |
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中科航电（深圳）电子集团有限公司10年
留言
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VISHAYSOT563 |
49747 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市明嘉莱科技有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
880000 |
14+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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SI1026图片
SI1026X-T1-GE3价格
SI1026X-T1-GE3价格：￥0.7284品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1026X-T1-GE3多少钱，想知道SI1026X-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.7284。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1026X-T1-GE3批发价格及采购报价，SI1026X-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI1026X-T1-GE3报价。
SI1026X-T1-GE3中文资料Alldatasheet PDF
更多Si1026-A-GM功能描述:射频微控制器 - MCU 32KB 8KB RAM PRGRM XCVR, DC-DC RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1026-A-GMR功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1026-B-GM功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
Si1026-B-GMR功能描述:射频微控制器 - MCU 32kB, 8kB RAM, +13dBm, LCD, XCVR RoHS:否 制造商:Silicon Labs 核心:8051 处理器系列:Si100x 数据总线宽度:8 bit 最大时钟频率:24 MHz 程序存储器大小:64 KB 数据 RAM 大小:4 KB 片上 ADC:Yes 工作电源电压:1.8 V to 3.6 V 工作温度范围:- 40 C to + 85 C 封装 / 箱体:LGA-42 安装风格:SMD/SMT 封装:Tube
SI1026X制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI1026X_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI1026X_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V(D-S) MOSFET
SI1026X-T1功能描述:MOSFET 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1026X-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1026X-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual N-Ch MOSFET 60V 1.25 ohms @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
