选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
60000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SC-89-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市拓亿芯电子有限公司10年
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VISHAY/威世SOT-563 |
22000 |
23+ |
只做原装现货假一赔十 |
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深圳市广弘电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
5500 |
20+ |
代理库存,房间现货,有挂就是现货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)SC-89-6 |
59901 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世SOT-563 |
41120 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
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VISHAYSOT236 |
12000 |
05+ |
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深圳市航宇科工半导体有限公司3年
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VISHAYNA |
3000 |
23+ |
航宇科工半导体-中国航天科工集团战略合作伙伴! |
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司1年
留言
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VISHAYSOT563 |
700000 |
2023+ |
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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XXSOT-423-6 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSOT-363 |
3000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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XXSOT-423-6 |
2800 |
23+ |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
45990 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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XXNA/ |
2800 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市润联芯城科技有限公司1年
留言
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VISHAYSOT-363 |
50000 |
23+ |
只做原装正品 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
留言
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XXSOT-423-6 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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XXSOT-423-6 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT236 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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深圳市正纳电子有限公司11年
留言
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Vishay(威世)NA |
20094 |
23+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-23 |
6528 |
2016+ |
只做原厂原装现货!终端客户个别型号可以免费送样品! |
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SI1025X-T1图片
SI1025X-T1-GE3价格
SI1025X-T1-GE3价格:¥0.9417品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1025X-T1-GE3多少钱,想知道SI1025X-T1-GE3价格是多少?参考价:¥0.9417。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI1025X-T1-GE3批发价格及采购报价,SI1025X-T1-GE3销售排行榜及行情走势,SI1025X-T1-GE3报价。
SI1025X-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1025X-T1功能描述:MOSFET 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1025X-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 0.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1025X-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 500mA 280mW 4.0ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube