选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT-563 |
2500 |
22+ |
进口原装现货/假一赔十 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
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VISHAY/威世SC89 |
7906200 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
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VISHAY(威世)SOT-563-6 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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VISHAY/威世SOT-563 |
13000 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
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VISHAY/威世SOT563 |
11532 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
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VISHAYSOT-563 |
33000 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
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Vishay(威世)SI1023X-T1-GE3 |
62508 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
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VISHAY/威世NA/ |
5564 |
23+ |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAYSOT563 |
23000 |
21+ |
原装现货 优势库存 当天可发货 |
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深圳市宝隆宏业科技有限公司7年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
12001 |
2122+ |
全新原装正品,优势渠道,价格美丽可做含税 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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3000 |
自己现货 |
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齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司10年
留言
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VISHAYSOT563 |
8000 |
23+ |
原装正品,假一罚十 |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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VIHSAY/SILICONIXSOT-563 |
9200 |
2008++ |
新进库存/原装 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市英瑞尔电子科技有限公司10年
留言
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VISHAYSOT666 |
2600 |
22+ |
原装现货假一赔十 |
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深圳廊盛科技有限公司6年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
80000 |
2022 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
2314 |
23+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
50000 |
21+ |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
12550 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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贸泽芯城(深圳)电子科技有限公司5年
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SSC/AFSOT-563 |
11200 |
原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO |
SI1023X采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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SI1023X价格
SI1023X价格:¥0.6500品牌:VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1023X多少钱,想知道SI1023X价格是多少?参考价:¥0.6500。这里提供2024年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,SI1023X批发价格及采购报价,SI1023X销售排行榜及行情走势,SI1023X报价。
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更多SI1023X制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI1023X_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI1023X-T1功能描述:MOSFET 20V 0.35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1023X-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.35A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1023X-T1-GE3功能描述:MOSFET Dual P-Ch MOSFET 20V 1.2 ohms @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube