选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SC75A |
7906200 |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SC75A |
60000 |
21+ |
绝对原装正品现货,假一罚十 |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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VISHAYSC-75A |
5905 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT323 |
7906200 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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VISHAYSOT416 |
9800 |
18+ |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SC-75A |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT416 |
3470 |
2019+ |
原厂渠道 可含税出货 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世Reel |
11442 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-523 |
33450 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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VishayN/A |
75000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SC-75A |
61218 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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Vishay(威世)标准封装 |
13672 |
23+ |
原厂直销,大量现货库存,交期快。价格优,支持账期 |
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深圳市科芯源微电子有限公司4年
留言
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VISHAY/威世SC75A |
54258 |
23+ |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
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深圳市跃创芯科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-523 |
30000 |
2022+ |
进口原装现货供应,绝对原装 假一罚十 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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HOLTEK/合泰SOP |
49 |
23+ |
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中科航电(深圳)电子集团有限公司10年
留言
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Vishay(威世)N/A |
33800 |
集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规 |
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深圳市赛特兴科技有限公司3年
留言
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Vishay(威世)N/A |
11800 |
22+ |
正规渠道,只有原装! |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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HOLTEK/合泰NA/ |
49 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
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求购ICSOD423 |
5083 |
2016+ |
SI1022R采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
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SI1022R价格
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更多SI1022R制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N SC-75A
SI1022R_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60-V(D-S) MOSFET
SI1022R_10制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:N-Channel 60 V(D-S) MOSFET
SI1022R-T1功能描述:MOSFET 60V 0.33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1022R-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 0.33A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1022R-T1-E3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:60V(D-S) N-CH MOSFET W/ESD PROTECT
SI1022R-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 330mA 250mW 1.25ohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube