| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
|
Vishay(威世)SC-75A |
60035 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
|
易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
|
VISHAYSC-75A-3 (SOT-416) |
3000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
|||
|
深圳市中利达电子科技有限公司6年
留言
|
VISHAYSOT353 |
1360 |
22+ |
长源创新-只做原装---假一赔十 |
|||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYSC75 |
4000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
|
VISHAY(威世)SC-75A |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
VISHAY/威世SC-75A |
60000 |
21+ |
原装正品进口现货 |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
||||
|
深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世SOT523 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
|||
|
深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
|
3000 |
21+ |
SC-75A-3 (SOT-416) |
||||
|
深圳市安博威科技有限公司4年
留言
|
VISHAYSC-75A-3 (SOT-416) |
15000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
VISHAY/威世SOT-523 |
41120 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
|||
|
深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
|
VishayN/A |
30000 |
23+ |
原装原装原装哈 |
|||
|
深圳市广弘电子有限公司3年
留言
|
Si1021R-T1-GE3 MOS(场效应管)SOT-523 |
41120 |
2019+PB |
13632880263 |
|||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
VISHAYSOT323 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
VISHAYSOT23-3 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳市科创腾达科技有限公司3年
留言
|
VISHAYSOT-323 |
69680 |
20+ |
全新原装热卖 |
|||
|
深圳市华睿芯科技有限公司8年
留言
|
VISHAYSOT323 |
20000 |
23+ |
||||
|
深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
|
VISHAYSOT23-3 |
9000 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
|
深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
|
VISHAY/威世NA/ |
2401 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
|
深圳市莱克讯科技有限公司6年
留言
|
VISHAYSOT23-3 |
24896 |
2017+ |
深圳代理原装现货进口库存(香港-日本-台湾)开17点增票 |
SI1021R-T1采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI1021R-T1图片
SI1021R-T1-GE3价格
SI1021R-T1-GE3价格：￥0.5200品牌：VISHAY
生产厂家品牌为VISHAY的SI1021R-T1-GE3多少钱，想知道SI1021R-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.5200。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1021R-T1-GE3批发价格及采购报价，SI1021R-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI1021R-T1-GE3报价。
SI1021R-T1中文资料Alldatasheet PDF
更多SI1021R-T1功能描述:MOSFET 60V 0.19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1021R-T1-E3功能描述:MOSFET 60V 0.19A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1021R-T1-GE3功能描述:MOSFET 60V 190mA 250mW 700mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1021R-T1-GE3/BKN制造商:Vishay Siliconix 功能描述:60V(D-S) P-CH MOSFET W/ESD PROTECT
