| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市昂芯微科技有限公司3年
留言
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VISHAYNA |
6800 |
23+ |
只做原装正品现货 |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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61622 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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VISHAYSC-89-6 (SOT-563) |
30000 |
23+ |
原装现货支持送检 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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VISHAY(威世)SOT-563 |
9908 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市博浩通科技有限公司14年
留言
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VISHAY进口原装 |
8811 |
23+ |
全新原装热卖/假一罚十!更多数量可订货 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
7906200 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
36000 |
2019+ |
原盒原包装 可BOM配套 |
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深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-563 |
53400 |
16+ |
进口原装现货/价格优势! |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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VISHAY/威世SOT563 |
13 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市华高宇电子有限公司1年
留言
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51000 |
21+/22+ |
SC-89-6 (SOT-563) |
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深圳市安博威科技有限公司4年
留言
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VISHAYSC-89-6 (SOT-563) |
45000 |
21+ |
原装正品 有挂有货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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VISHAY/威世SOT-563 |
6500 |
2019+PB |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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6800 |
2021+ |
原厂原装,欢迎咨询 |
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深圳市慧业盛科技有限公司1年
留言
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90756 |
23+ |
全新原装，有询必回 |
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深圳市恒意法电子有限公司13年
留言
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VISHAYSOT563 |
12000 |
21+ |
专营原装正品现货,当天发货,可开发票! |
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深圳市硅宇电子有限公司10年
留言
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Vishay(威世)SOT-563 |
60993 |
2249+ |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
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深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
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VISHAYSOT-563 |
6000 |
2018+ |
全新原装正品现货,假一赔佰 |
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深圳市弘为电子有限公司9年
留言
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VISHAYSOT563 |
1290 |
16+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市正迈科技有限公司8年
留言
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VISHAYNA |
3000 |
23+ |
专业电子元器件供应链正迈科技特价代理QQ1304306553 |
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深圳市能创芯电子科技有限公司7年
留言
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VISHAYSOT-563 |
3000 |
23+ |
原装正品假一罚百!可开增票! |
SI1016X采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
SI1016X图片
SI1016X-T1-GE3价格
SI1016X-T1-GE3价格：￥0.8561品牌：Vishay
生产厂家品牌为Vishay的SI1016X-T1-GE3多少钱，想知道SI1016X-T1-GE3价格是多少？参考价：￥0.8561。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，SI1016X-T1-GE3批发价格及采购报价，SI1016X-T1-GE3销售排行榜及行情走势，SI1016X-T1-GE3报价。
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更多SI1016X制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary N and P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI1016X_08制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Complementary N- and P-Channel 20-V(D-S) MOSFET
SI1016X-T1功能描述:MOSFET 20V 0.6/0.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1016X-T1-E3功能描述:MOSFET 20V 0.6/0.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI1016X-T1-GE3功能描述:MOSFET N/P-Ch MOSFET 700/1200 mohms@4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
