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CBC3112	文件：212.56 Kbytes Page：1 Pages	AmbiqAM1803RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：288.94 Kbytes Page：3 Pages	EnerChipCCBackupPowerforEpsonRX-8564Real-TimeClock	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：205.64 Kbytes Page：1 Pages	EpsonRX-8564RTCPowerBackupwithEnerChipBattery	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CBC3112	文件：1.04547 Mbytes Page：16 Pages	EnerChipCCwithIntegratedPowerManagement	CYMBETCymbet Corporation Cymbet Corporation	CYMBET
CEB3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CED3112	文件：441.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,45A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEM3112	文件：426.43 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,11.9A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. SurfacemountPackage. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEP3112	文件：523.69 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU3112	文件：441.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,45A,RDS(ON)=11mW@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant. RDS(ON)=15mW@VGS=4.5V.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEZC3112	文件：946.09 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 30V,37.8A,RDS(ON)=9.7mW@VGS=10V. RDS(ON)=14mW@VGS=4.5V. SuperHighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. Pb-freeleadplating;RoHScompliant. HalogenFree.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CM3112	文件：277.42 Kbytes Page：14 Pages	150mA/1.2VCMOSLDORegulator ProductDescription TheCM3112-12isalowquiescentcurrent(90uA)regulatorthatdeliversupto150mAofloadcurrentatafixed1.2Voutput.Allthenecessarycircuitryhasbeenincludedtodelivera50Ωpowergoodsignal(opendrain)whichremainsfor5msaftertheoutputhasexceeded90(typ	CALMIRCO California Micro Devices Corp	CALMIRCO
CPH3112	文件：54.05 Kbytes Page：5 Pages	DC/DCConverterApplications DC/DCConverterApplications Features •AdoptionofMBITprocesses. •Highcurrentcapacitance. •Lowcollector-to-emittersaturationvoltage. •Ultrasmall-sizedpackagepermittingappliedsetstobemadesmallandslim(0.9mm). •Highallowablepowerdissipation. Applications •Relaydriv	SANYOSanyo 三洋三洋电机株式会社	SANYO
DMN3112S	文件：144.85 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance: 57mΩ@VGS=10V 112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHigh	ZPSEMI ZP Semiconductor	ZPSEMI
DMN3112S	文件：185.07 Kbytes Page：4 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEFIELDEFFECTTRANSISTOR Features •LowOn-Resistance: ◾57mΩ@VGS=10V ◾112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DMN3112SSS	文件：194.07 Kbytes Page：4 Pages	SINGLEN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Features •LowOn-Resistance •57mΩ@VGS=10V •112mΩ@VGS=4.5V •LowGateThresholdVoltage •LowInputCapacitance •FastSwitchingSpeed •LowInput/OutputLeakage •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Note4) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHi	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
DS3112	文件：585.75 Kbytes Page：135 Pages	TEMPET3/E3Multiplexer3.3VT3/E3FramerandM13/E13/G.747Mux	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS3112	文件：2.38627 Mbytes Page：133 Pages	TEMPET3/E3Multiplexer3.3VT3/E3FramerandM13/E13/G.747Mux	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS3112+	文件：2.38627 Mbytes Page：133 Pages	TEMPET3/E3Multiplexer3.3VT3/E3FramerandM13/E13/G.747Mux	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim

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详细参数

型号：
RR3112ABLKBLKNEFO
功能描述：
摇臂开关与扳钮开关 ROCKER
RoHS：
否
制造商：
C&K Components
电流额定值：
50 mA 电压额定值
AC：
电压额定值
DC：
30 V
执行器：
Paddle
安装风格：
Panel
照明：
Not Illuminated

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