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RN2101	文件：256.73 Kbytes Page：7 Pages	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101ACT	文件：196.37 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications •Extrasmallpackage(CST3)isapplicableforextrahighdensityfabrication. •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermor	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101CT	文件：195.31 Kbytes Page：8 Pages	Switching Applications Inverter Circuit Applications Interface Circuit Applications Driver Circuit Applications SwitchingApplications InverterCircuitApplications InterfaceCircuitApplications DriverCircuitApplications •Incorporatingabiasresistorintoatransistorreducespartscount.Reducingthepartscountenablethemanufactureofevermorecompactequipmentandsaveassemblycost	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101F	文件：559.29 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuit AndDriverCircuitApplications Built-inbiasresistors Simplifiedcircuitdesign Fewerpartsandsimplifiedmanufacturingprocess ComplementarytoRN1101~RN1106	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101MFV	文件：206.92 Kbytes Page：8 Pages	Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications Switching,InverterCircuit,InterfaceCircuitandDriverCircuitApplications Ultra-smallpackage,suitedtoveryhighdensitymounting Incorporatingabiasresistorintothetransistorreducesthenumberofparts,soenablingthemanufactureofevermorecompactequipmentandlowering	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101_07	文件：572.07 Kbytes Page：8 Pages	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
RN2101,LXHF(CT	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-75，SOT-416 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：AUTO AEC-Q SINGLE PNP Q1BSR=4.7K	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101ACT(TPL3)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-101，SOT-883 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
RN2101CT(TPL3)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：SC-101，SOT-883 类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS PNP 20V 0.05A CST3	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
2101	文件：51.89 Kbytes Page：1 Pages	InsertMoldedCoil	FRONTIER Frontier Electronics	FRONTIER
2101	文件：172.02 Kbytes Page：5 Pages	HIGHSPEEDSMTMAGNETICMODULES	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
2101	文件：83.25 Kbytes Page：1 Pages	One-wayflowcontrolvalve	FESTOFesto Corporation. 费斯托公司德国FESTO费斯托（中国）有限公司	FESTO
2101A	文件：256.45 Kbytes Page：3 Pages	Fieldbus,2Pr#18StrTC,XLPOIns,IS/OS,TPEJkt,CMG	BELDEN Belden Inc.	BELDEN
2101-RC	文件：117.11 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2101-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2101-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
2101-RC	文件：111.85 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）	Bourns
ACF2101	文件：192.68 Kbytes Page：14 Pages	LowNoise,DualSWITCHEDINTEGRATOR	BURR-BROWNTexas Instruments Incorporated 德州德州仪器	BURR-BROWN

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晶体管资料

型号：
RN2101
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
Si-P+R
性质：
表面帖装型（SMD）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
50V
最大电流允许值：
0.1A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
3
可代换的型号：
DTA143EE,
最大耗散功率：
0.4W
放大倍数：
图片代号：
H-15
vtest：
50
htest：
999900
atest：
.1
wtest：
.4

详细参数

型号：
RN2101
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type(PCT Process)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RN2101供应商更新时间2024-5-2 16:00:00

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