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RMPG06D-E3/73	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：MPG06，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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RMPG06D-E3/73

文件：100 bytes

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包装：卷带（TR）封装/外壳：MPG06，轴向类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

UG06D-E3/73

文件：72.31 Kbytes

Page：4 Pages

MiniatureUltrafastPlasticRectifier

FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Ultrafastreverserecoverytime •Softrecoverycharacteristics •Lowforwardvoltagedrop •Lowswitchinglosses,highefficiency •Highforwardsurgecapability •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •ComplianttoRoHSdirective2002/

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

产品属性

产品编号：
RMPG06D-E3/73
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
1A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
6.6pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
MPG06，轴向
供应商器件封装：
MPG06
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 200V 1A MPG06

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