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1N1200	文件：103.79 Kbytes Page：1 Pages	SiRectifier	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
1N1200	文件：278.66 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SILICONPOWERRECTIFIER AvailableNon-RoHS(standard)orRoHScompliant(addPBFsuffix). Availableas“HR”(highreliability)screenedperMIL-PRF-19500,JANTXlevel.Add“HR”suffixtobasepartnumber.	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON
1N1200A	文件：773.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1200A	文件：419.32 Kbytes Page：2 Pages	DO4STUDDEVICESSTANDARDRECTIFIER Features •HighSurgeCapability •Typesupto1000VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N1200A	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
1N1200A	文件：741.43 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode Features •HighSurgeCapability •Typesfrom50Vto600VVRRM •NotESDSensitive	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1200A	文件：154.83 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-PowerRectifiers Silicon-PowerRectifiers Nominalcurrent–Nennstrom12A Repetitivepeakreversevoltage50...1000V Weightapprox.–Gewichtca.5.5g Recommendedmountingtorque18±10lb.in. IndexR:Anodetostud/amGewinde(e.g.1N1199A/R)	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1200A	文件：103.56 Kbytes Page：4 Pages	12AMPMEDIUMPOWERSILICONRECTIFIERDIODES Description/Features ■Voltageratingfrom50to1,000volts ■Highsurgecapability ■Lowthermalimpedance ■Hightemperaturerating ■CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
1N1200A	文件：140.12 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A FEATURES •Voltageratingsfrom50Vto1000V •Highsurgecapability •Lowthermalimpedance •Hightemperaturerating •CanbesuppliedasJANandJAN-TXdevicesinaccordancewithMIL-S-19500/260 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1200A	文件：152.93 Kbytes Page：6 Pages	MediumPowerSiliconRectifierDiodes,12A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
1N1200A	文件：128.289 Kbytes Page：2 Pages	Silicon-Power-Rectifiers	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
1N1200AR	文件：773.58 Kbytes Page：3 Pages	SiliconStandardRecoveryDiode	GENESIC GeneSiC Semiconductor, Inc.	GENESIC
1N1200AR	文件：419.32 Kbytes Page：2 Pages	DO4STUDDEVICESSTANDARDRECTIFIER Features •HighSurgeCapability •Typesupto1000VVRRM	AMERICASEMI America Semiconductor, LLC	AMERICASEMI
1N1200C	文件：137.95 Kbytes Page：2 Pages	SILICONPOWERRECTIFIER SiliconPowerRectifier •GlassPassivatedDie •LowForwardVoltage •400ASurgeRating •Glasstometalsealconstruction •VRRMto1600V •Excellentreliability	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
1N1200RA	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
RL1N1200F	文件：23.56 Kbytes Page：2 Pages	PHOTOFLASHRECTIFIER(VOLTAGERANGE1000to1800VoltsCURRENT0.5Ampere)	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
RL1N1200F	文件：236 Kbytes Page：3 Pages	PHOTOFLASHFASTRECOVERYRECTIFIER	HORNBYNantong Hornby Electronic Co.,Ltd 南通康比电子南通康比电子有限公司	HORNBY
USAF1N1200	文件：2.44311 Mbytes Page：6 Pages	GERMANIUMPNPTRANSISTORS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
VS-1N1200A	文件：154 Kbytes Page：5 Pages	MediumPowerSiliconRectifierDiodes,(StudVersion),12A	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

详细参数

型号：
RL1N1200F-T
功能描述：
整流器 Phtoflsh 1200V 500mA
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
产品：
Standard Recovery Rectifiers
反向电压：
100 V
恢复时间：
1.2 us
正向连续电流：
2 A
最大浪涌电流：
35 A 反向电流
IR：
5 uA
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-221AC
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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