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RJP60V0DPM	文件：91.23 Kbytes Page：8 Pages	600V - 22A - IGBT Application: Inverter Features ●Highbreakdown-voltage ●LowCollectortoEmittersaturationVoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) ●Shortcircuitwithstandtime(6styp.) ●Trenchgateandthinwafertechnology(G6Hseries)	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60V0DPM-80	文件：112.84 Kbytes Page：8 Pages	600V - 22A - IGBT Application: Inverter 600V-22A-IGBTApplication:Inverter Features Highbreakdown-voltage Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Shortcircuitwithstandtime(6styp.) Trenchgateandthinwafertechnology(G6	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60V0DPM-80T2	文件：112.84 Kbytes Page：8 Pages	600V - 22A - IGBT Application: Inverter 600V-22A-IGBTApplication:Inverter Features Highbreakdown-voltage Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.5Vtyp.(atIC=22A,VGE=15V,Ta=25°C) Shortcircuitwithstandtime(6styp.) Trenchgateandthinwafertechnology(G6	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60V0DPM_15	文件：97.68 Kbytes Page：8 Pages	600V - 22A - IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60V0DPM-80_15	文件：108.26 Kbytes Page：8 Pages	600V - 22A - IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP60V0DPM-00#T1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 45A 40W TO-3PFM	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市国宇半导体科技有限公司	RJP60V0DPM	RENESAS/瑞萨	23+	TO-3P	10000	公司只做原装正品	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	RJP60V0DPM	RENESAS/瑞萨	22+	TO-3P	6000	十年配单,只做原装	询价
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更多RJP60V0DPM供应商更新时间2024-6-14 14:30:00

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