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RJP6065	文件：87.98 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C)  Gatetoemittervoltagerating30V *Pb-freeleadplatingandchipbonding	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP6065DPM	文件：87.98 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.8Vtyp.(IC=40A,VGE=15V,Ta=25°C)  Gatetoemittervoltagerating30V *Pb-freeleadplatingandchipbonding	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJP6065DPM_15	文件：99.47 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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6065	文件：382.17 Kbytes Page：3 Pages	IECApplianceInletC18,Screw-onMounting,FrontSide,SolderorQuick-connect,PCBorScrewTerminal	SCHURTERSchurter Inc. 硕特硕特集团	SCHURTER
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详细参数

型号：
RJP6065
制造商：
RENESAS
制造商全称：
Renesas Technology Corp
功能描述：
Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RJP6065供应商更新时间2024-6-14 14:23:00

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