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RJH60D2DPP-M0	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features Shortcircuitwithstandtime(5µstyp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.7Vtyp.(atIC=12A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage Trenchgateandthinwa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D2DPP-M0-T2	文件：171.49 Kbytes Page：4 Pages	Silicon N Channel IGBT cation: Inverter SiliconNChannelIGBTApplication:Inverter Features Shortcircuitwithstandtime(5µstyp.) Lowcollectortoemittersaturationvoltage VCE(sat)=1.7Vtyp.(atIC=12A,VGE=15V,Ta=25°C) Builtinfastrecoverydiode(100nstyp.)inonepackage Trenchgateandthinwa	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D2DPP-M0_10	文件：88.4 Kbytes Page：8 Pages	Silicon N Channel IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D2DPP-M0_15	文件：108.44 Kbytes Page：10 Pages	600V - 12A - IGBT Application: Inverter	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
RJH60D2DPP-M0#T2	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 整包类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 25A 27.2W TO220FL	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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更多RJH60D2DPP-M0供应商更新时间2024-5-30 15:58:00