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RI-STU-655A	文件：173.97 Kbytes Page：1 Pages	HF Reader System Series 6000 S6550 Long Range Reader (Housed)	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
RI-STU-655A-00	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：300mm x 200mm x 160mm 类别：RF/IF，射频/中频和 RFID RFID 读取器模块描述：RFID READER R/W 13.56MHZ	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
655	文件：76.05 Kbytes Page：1 Pages	MINIATUREFUSEHOLDERS	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
655H	文件：324.88 Kbytes Page：8 Pages	600Hand600NHseries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
ALC655	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
ALC655-LF	文件：654.58 Kbytes Page：40 Pages	SIX-CHANNELAC??72.3AUDIOCODEC	REALTEKRealtek Semiconductor Corp 瑞昱瑞昱半导体公司	REALTEK
AT655	文件：44.29 Kbytes Page：4 Pages	PHASECONTROLTHYRISTOR PHASECONTROLTHYRISTOR Repetitivevoltageupto2800V Meanon-statecurrent1545A Surgecurrent30kA	POSEICO Power Semiconductors	POSEICO
C655	文件：501.68 Kbytes Page：1 Pages	500WATTS(AC)DC/DCSINGLEOUTPUT Features •SingleOutput •3Ux42TEx166.5mm •Weight:3.5kg	POWERBOX Powerbox manufactures	POWERBOX
CEB655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CED655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEF655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEI655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEP655N	文件：106.3 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-220&TO-263&TO-262package&TO-220Ffull-pakforthroughhole.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU655	文件：1.01018 Mbytes Page：7 Pages	N-Channel200V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
CEU655	文件：655.56 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES ■150V,6.4A,RDS(ON)=0.45Ω@VGS=10V. ■SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). ■Highpowerandcurrenthandingcapability. ■Leadfreeproductisacquired. ■TO-251&TO-252package.	CETCET-MOS Technology Corp. 华瑞华瑞功率电子股份有限公司	CET
CEU655	文件：641.54 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor FEATURES 150V,6.4A,RDS(ON)=0.45W@VGS=10V. SuperhighdensecelldesignforextremelylowRDS(ON). Highpowerandcurrenthandingcapability. TO-251&TO-252package. RoHScompliant.	CET-MOSCET-MOS Technology Corp. 華瑞華瑞功率電子股份有限公司	CET-MOS
CEU655	文件：1.27835 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
CM655	文件：32.02 Kbytes Page：1 Pages	WedgeBase	VCC Visual Communications Company	VCC
CNS655-MU	文件：1.35743 Mbytes Page：8 Pages	650WattAC-DCPowerSupplies	ARTESYNArtesyn Embedded Technologies 雅特生雅特生科技	ARTESYN

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详细参数

型号：
RI-STU-655A
制造商：
TI
制造商全称：
Texas Instruments
功能描述：
HF Reader System Series 6000 S6550 Long Range Reader(Housed)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市科雨电子有限公司	RI-STU-655A-00	TI	20+	射频元件	3000	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
万三科技(深圳)有限公司	RI-STU-655A-00	TI	22+	NA	500000	万三科技,秉承原装,购芯无忧	询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	RI-STU-655A-00	TI	22+	300mm x 200mm x 160m	20000	绝对原装现货	询价
芯权科技（深圳）有限公司	RI-STU-655A-00	TI/德州仪器	23+	-	8355	只做原装现货/实单可谈/支持含税拆样	询价
深圳市恒创达实业有限公司	RI-STU-MRD1-01	TEXAS	17+	DIP-30	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市博浩通科技有限公司	RI-STU-MRD1-01	TEXAS	23+	DIP-30	8890	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
深圳市富芯乐电子科技有限公司	RI-STU-MRD1-01	TEXAS?	22+	DIP-30?	5000	全新原装现货特价..	询价
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更多RI-STU-655A供应商更新时间2021-9-14 10:50:00

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