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RGP10G中文资料PDF规格书

RGP10G
厂商型号

RGP10G

参数属性

RGP10G 封装/外壳为DO-204AL,DO-41,轴向;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单;产品描述:DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

功能描述

FAST RECOVERY RECTIFIER

文件大小

63.76 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
企业简称

BILIN世纪微电子

中文名称

常州银河世纪微电子股份有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-22 8:14:00

RGP10G规格书详情

VOLTAGE RANGE: 50 --- 1000 V CURRENT: 1.0 A

FEATURES

♦ Low cost

♦ Diffused junction

♦ Low leakage

♦ Low forward voltage drop

♦ High current capability and similar solvents

♦ Easily cleaned with Freon,Alcohol,Isopropanol

♦ The plastic material carries U/L recognition 94V-0

产品属性

  • 产品编号:

    RGP10G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    1A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    15pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AL,DO-41,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-41

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 175°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 400V 1A DO41

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
23+
DO41
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
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GENERALSEMICONDUCTOER
97+
NA
880000
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DO-41
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VISHAY/威世
21+
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30000
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1983
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VISHAY/威世
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98000
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VISHAY/威世
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VISHAY/威世
2022
DO-41
80000
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onsemi
23/22+
NA
9000
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