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RFP50N05	文件：47.34 Kbytes Page：6 Pages	50A, 50V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-ChannelpowerMOSFET’SmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingr	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP50N05L	文件：376.7 Kbytes Page：6 Pages	50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs Thesearelogic-levelN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic-level(5V)dri	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP50N05L	文件：51.8 Kbytes Page：6 Pages	50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs Thesearelogic-levelN-channelpowerMOSFETsmanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforusewithlogic-level(5V)dri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP50N06	文件：375.54 Kbytes Page：8 Pages	50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFP50N06	文件：74.26 Kbytes Page：8 Pages	50A, 60V, 0.022 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseN-ChannelpowerMOSFETsaremanufacturedusingtheMegaFETprocess.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIintegratedcircuitsgivesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapplicationssuchasswitchingreg	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP50N06LE	文件：412.33 Kbytes Page：8 Pages	50A, 60V, 0.022 Ohm, Logic Level N-Channel Power MOSFETs TheseN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETsaremanufacturedusingthelatestmanufacturingprocesstechnology.Thisprocess,whichusesfeaturesizesapproachingthoseofLSIcircuits,givesoptimumutilizationofsilicon,resultinginoutstandingperformance.Theyweredesignedforuseinapp	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFP50N05L_04	文件：157.61 Kbytes Page：6 Pages	50A, 50V, 0.022 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs	AUSTIN AUSTIN	AUSTIN
RFP50N06	文件：1.28532 Mbytes Page：6 Pages	50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
RFP50N06LE	文件：979.44 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
RFP500	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：工具配件描述：(RFP) RFP500, PAD, 15\	Brady Corporation Brady Corporation	Brady Corporation

详细参数

型号：
RFP50
功能描述：
MOSFET 50V/50a/0.022Ohm NCh Logic Level
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多RFP50供应商更新时间2024-6-14 16:00:00

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