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RFL1N10	文件：30.55 Kbytes Page：4 Pages	1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFL1N10	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	1A, 180V and 200V, 3.65 Ohm, N-Channel Power MOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel, Power MOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10L	文件：29.9 Kbytes Page：5 Pages	1A, 100V, 1.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET Description ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthrougha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
CCF1N10	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
CCF1N10TTE	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
EMBA1N10Q	文件：202.03 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID4.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10A	文件：228.68 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10F	文件：204.44 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
MMFT1N10	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMFT1N10E	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola

详细参数

型号：
RFL1N10
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	RFL1N10				5000	公司存货	询价
深圳市振宏微科技有限公司	RFL1N10	HAR	23+	RFL1N10	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市昊创电子有限公司	RFL1N10	HARRIS	专业铁帽	CAN3	15600	原装铁帽专营,代理渠道量大可订货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	RFL1N10	HARRIS	专业铁帽	CAN3	67500	铁帽原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市维尔达电子有限公司	RFL1N10	INTERSIL	2023+		80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
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深圳市宏世佳电子科技有限公司	RFL1N10	HARRIS	2023+	TO-39	4035	全新原厂原装产品、公司现货销售	询价

更多RFL1N10供应商更新时间2024-6-17 16:00:00

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