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5N06	文件：339.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS
LMTM5N06	文件：1.14303 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
MTD5N06	文件：172.65 Kbytes Page：5 Pages	PowerFieldEffectTransistors PowerFieldEffectTransistors N-ChannelEnhancementModeSiliconGate DPAKforSurfaceMountorInsertionMount	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MTD5N06D	文件：345.24 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTD5N06I	文件：359.43 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.4Ω(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconverter,po	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTP5N06	文件：112.54 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODESILICONGATE	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP5N06	文件：295.22 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.6Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
PJW5N06A	文件：555.84 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@5A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
PJW5N06A-AU	文件：512.02 Kbytes Page：6 Pages	60VN-ChannelEnhancementModeMOSFET Features RDS(ON),VGS@10V,ID@5A	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
SSPR5N06-C	文件：339.17 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	SECOS SeCoS Halbleitertechnologie GmbH	SECOS

详细参数

型号：
RFG5N06
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk
制造商：
Harris Corporation

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多RFG5N06供应商更新时间2024-6-5 17:00:00

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