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RFG45N06	文件：82.12 Kbytes Page：6 Pages	45A, 60V, Avalanche Rated N-Channel Enhancement-Mode Power MOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFG45N06	文件：73.85 Kbytes Page：8 Pages	45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power MOSFETs TheseareN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistors.TheyareadvancedpowerMOSFETsdesigned,tested,andguaranteedtowithstandaspecifiedlevelofenergyinthebreakdownavalanchemodeofoperation.AllofthesepowerMOSFETsaredesignedforapplicationssuchas	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFG45N06	文件：381.64 Kbytes Page：8 Pages	45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
RFG45N06_02	文件：381.64 Kbytes Page：8 Pages	45A, 60V, 0.028 Ohm, N-Channel Power	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
45N06	文件：49.43 Kbytes Page：2 Pages	FastSwitching	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
EMB45N06A	文件：224.24 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)45mΩ ID18A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMB45N06G	文件：183.34 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS60V RDSON(MAX.)45mΩ ID6.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
HFP45N06	文件：266.8 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelMOSFET	HuashanHuashan Electronic Devices Co 华汕电子器件	Huashan
HRP45N06K	文件：1.07674 Mbytes Page：8 Pages	60VN-ChannelTrenchMOSFET	SEMIHOW SemiHow Co.,Ltd.	SEMIHOW
NP45N06VDK	文件：371.63 Kbytes Page：9 Pages	N-channelPowerMOSFET	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP45N06VUK	文件：287.26 Kbytes Page：10 Pages	60V–45A–N-channelPowerMOSFETApplication:Automotive Description TheseproductsareN-channelMOSFieldEffectTransistorsdesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features Superlowon-stateresistance RDS(on)=9.6mMAX.(VGS=10V,ID=23A) LowCiss:Ciss=1690pFTYP.(VDS=25V) Designedforautomotiveapplicationan	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NTB45N06	文件：148.06 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET45Amps,60Volts	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB45N06	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET45Amps,60VoltsN?밅hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB45N06	文件：66.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET45Amps,60VoltsN?밅hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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NTB45N06	文件：64.15 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET45Amps,60Volts PowerMOSFET45Amps,60Volts N−ChannelTO−220andD2PAK Designedforlowvoltage,highspeedswitchingapplicationsinpowersupplies,convertersandpowermotorcontrolsandbridgecircuits. Features •HigherCurrentRating •LowerRDS(on) •LowerVDS(on) •LowerCapaci	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB45N06G	文件：86.97 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET45Amps,60VoltsN?묬hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTB45N06G	文件：1.32114 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel60V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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NTB45N06L	文件：87.33 Kbytes Page：8 Pages	45Amps,60Volts,LogicLevel,N?묬hannelTO??20andD2PAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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详细参数

型号：
RFG45N06
制造商：
Rochester Electronics LLC
功能描述：
- Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市昌和盛利电子有限公司	RFG45N06	INTERSIL/FSC	23+	TO-247	28610		询价
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