选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252(DPAK) |
20000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市高捷芯城科技有限公司4年
留言
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onsemi(安森美)TO-252 |
9555 |
23+ |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO252 |
5000 |
2022+ |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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ON/安森美TO252 |
7906200 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252(DPAK) |
31518 |
17+ |
原装正品 可含税交易 |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市亚泰盈科电子有限公司11年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
30216 |
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市百视威讯电子科技有限公司3年
留言
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N/A |
64910 |
23+ |
正品授权货源可靠 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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易创佳业科技(深圳)有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
6000 |
23+ |
原装正品,支持实单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-252 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市莱克讯科技有限公司5年
留言
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仙童TO-252 |
44558 |
2017+ |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
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中天科工半导体(深圳)有限公司13年
留言
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onsemiTO-252AA |
30000 |
23+ |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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深圳市纳立科技有限公司3年
留言
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1983 |
三年内 |
纳立只做原装正品13590203865 |
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深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
12000 |
23+ |
原装正品真实现货杜绝虚假 |
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深圳市水星电子有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-252 |
2948 |
23+ |
水星电子只做原装,支持一站式BOM配单。 |
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深圳市恒诺芯科技有限公司3年
留言
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NA |
33220 |
2322+ |
无敌价格 主销品牌 正规渠道订货 免费送样!!! |
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RFD12N06RLESM9A价格
RFD12N06RLESM9A价格:¥2.0025品牌:Fairchild
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RFD12N06RLESM中文资料Alldatasheet PDF
更多RFD12N06RLE功能描述:MOSFET 60V/12a/0.135Ohm NCh Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
RFD12N06RLESM制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET, N, D-PAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:17A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):70mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:3V; Power Dissipation Pd:49W ;RoHS Compliant: Yes
RFD12N06RLESM9A功能描述:MOSFET 60V Single RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube